MOSFET 80W Power Amp 설계 및 제작(2)

작년에 작업을 시작해서 해가 바뀌었다. 더이상 거실에 방치해서는 힘들어질것 같아서 작업을 서둘렀다.

일전에 구입했던 넉넉한 케이스를 장만하여 배치를 하였다.

전원 트랜스는 300VA급, 1차 220V, 2차 32-0-32V(4.6A), 0-12V(0.5A)로 제작되었다.

 

 

 

일단 배선하여 500옴 가변을 조정하여 0.6옴 양단의 전압을 75mV정도로 셋팅을 하여 약 125mA가 흐르게 하였고 200옴 저항으로 출력전압을 최대한 0에 가깝게 하여 양채널 모두 0.1mV정도로 하였다.

대칭 배선한다고 오른쪽 접지배선을 휘휘돌렸더니 오른쪽에서 험이 발생하였다.  기판 접지배선을 스피커 보호회로에 다모아서 해결하였다.

 

load 연결후 bias 조정을 했다. 좌 74.5mV(124mA), 우 75mV(125mA) 로 기본적인 100mA보다 조금더 흘려줬다. 조금씩 drift가 생기더라도 괜찮을듯하다. 방열판의 온도도 거의 느껴지지 않는데 측정시 상온대비 3도정도 높은듯하다. 여름이나 장기구동시 점차 온도가 올라갈것이나 방열판의 크기로 봤을떄는 문제없을것이다.

 

초단 좌 1.33V, 우 1.32V로 1.5K옴에 걸린다. 약 0.88mA가 흐른다. 물론 원회로에서의 0.3mA보다는 많이 흐르지만 말이다. 초기 설계의도는 약 1mA로 설정하였는데 이것은 LED 정전류 회로쪽에서 LED 전압이 계산보다 좀 낮게 걸린것 같다.

LED를 약 2V로 계산했는데 실제는 약 1.8V 정도 걸리는것 같다. 이로 인해서 드라이브단에 전압이 좀 낮게 걸린다.

 

설계치대로 1mA 흘릴려면 LED부 680옴을 560옴으로 낮춰서 전류를 많이 흘리는 방법이다. 이러면 대대적인 공사로 힘들어질것 같다.

그나마 쉽게 하는 법은  대략

680과 5.1K병렬 -> 600옴 : 1mA

680과 2.7K병렬 -> 543옴 : 1.1mA

680과 2.2K병렬 -> 520옴 : 1.15mA

의도대로는 1mA까지 하지 못했지만 그나마 전류를 2배 이상 올린걸로 만족해야 겠다.

 

추가로 발진이 있어 10pF을 200pF을 추가로 덧데어 210pF으로 하였고 이로써 대략 해결 하였다.

초단 0.88mA이고 이때 LTP 한개의 re는 26mV/0.88mA= 29.5R으로 LTP의 re는 59R이다.

59옴과 10pF으로 인해 269.8MHz이고 25배의 이득으로 인해 269.8/25=10.8MHz 이다. 이로써 발진이 일었고, 보상 캡을 210pF으로 증가하여 12.8MHz로 하였고 25배 이득으로 512KHz의 마진을 확보하였다.