[完] ESP P03A Power Amp Board

Leach AMP, SYMASYM AMP, P03A Amp... 리치와 시마심은 제작을 했고 3번째 P03A 는 PCB로 제작을 완료 했다. 

어쨌든 취미가들이 만들어야 할 파워앰프의 3가지는 다 만든샘이다.

 

1) 입력단 에서 LED는 2V 정도 걸리고 Q3의 Vbe가 0.6V면 1.4V가 560옴에 걸린다. 따라서 약 2.5mA가 흐르는데 Q1의 콜렉터 저항 R6에는 1.25mA가 흘러서 R6 560옴 양단에 0.7V가 걸린다.

 

2) 프리 드라이버단은 하단부 R9, R10에 35V-1.2V 인 33.8V가 걸리는것으로 계산하면 대락적인 전류를 구할수 있다. 

33.8/6.6K = 5.12mA, 프리 드라이버단에는 ±1.2V가 걸려야 되니 이를 가정하고 계산했다.

입력 디퍼런셜 페어쪽 Q1,Q2는 BC546을 매칭선별(hfe 271)하여 열결합을 하였다.  VAS단 Q4는 BD140을 사용하였고 혹시 몰라 작은 방열판에 결합하였다. 

Vbe Multiplier 회로의 TR Q9는 BC546대신 BD139를 사용하여 드라이버 TR Q5의 방열판에 열결합을 하였다. 

Multiplier회로에는 1K고정 저항과 2K가변저항으로만 되어 있어 가변저항이 0인 상황에서는 열폭주가 일어 날수 있기 떄문에 220옴을 직렬로 배치하였다. 

1K+2K가변 2K full 일때 (1+1/2)*0.6 = 0.9V bias 걸리고 2K가 0가되면 폭주된다.

1K+2K가변+220옴에서 2K full  일때 (1+ 1/(2.22))*0.6 = 0.87V, 2K가 0일때 (1+1/0.22)*0.6=3.33V 로 레인지가 0.87V~3.33V까지 가능하다.

드라이버 TR은 가지고 있는 TR의 증폭률이 매칭되는걸 고르다 보니 Q5 MJE15030/ Q6 MJE15031로 하였다.

일단 보드를 완성후 일단은 보관모드로... MOSFET 추가 완성후 생각해볼것이다.