[完] MOSFET 60W remodeling (2)

날이 점점 더워지고 있다. 이번 여름휴가전에 완성했으면 하는데 어찌될지 모르겠다.

앰프부, 전원부 기판이 완성되었으니 이제 케이스에 실장할 순서이다. 기존과 다르게 스피커 보호회로를 추가할것이다. 없어도 문제가 없었지만 혹시도 모를 사태를 대비해서 장착하기로 했다. 이것 때문에 작은 보호용 전원을 위한 트랜스를 추가 하였다. 트랜스 초기 주문시 보호용 전원을 같이 하는게 제일 깔끔하다. 추가 트랜스를 설치 하는것도 설치후 배선도 고민거리가 많아진다. 일단은 제일 작은 사이즈의 단파 트랜스를 구해서 간섭받지 않을 위치에 달아놨다.

제일 귀찮은일중의 하나인 케이스 가공이다. 처음 고민을 많이 하지 않으면 배치가 꼬이기도 하고 모양새도 밉게되는 경우가 있어 만만치 않은 일이다. 알루미늄에 드릴로 작업을 하면 당장에 가족들의 눈치와 아파트구조상 밑집의 눈치도 함께 봐야 한다.

PCB와 MOSFET을 장착하였다.

 

 

앞판에 전원 스위치를 달아야 하는데 이앞 판널이 두꺼워서 항상 집에서 가공하기가 어렵다. 드릴로 10mm까지 가공하고나서 스템 드릴로 조금씩 넓혀서 작업하였다. 트랜스높이와 간섭을 피하다보니 스위치가 상측으로 쏠려서 위치 하게 되었다. 균형감을 주기위해서 하단부에 앰프 네임 플레이트를 달아줄 것이다.

전체적으로 이런 모습이다.

스피커 프로텍트의 위치가 비대칭에 위치해서 스피커 출력의 배선이 날아다니게 생겼다. 초기 스피커 보호회로가 없어도 크게 문제되지 않았는데 기왕에 장착하기로 했고 최대한 배선에 신경써서 작업을 하기로 했다.

전원부 연결 단자는 나사가 4mm짜리이다. Y형 터미날 압착단자를 새로 구입 하였다. 대부분이 3mm짜리인데 말이다...

 

나름 고민한 배선

초기 스피커단자에 8옴 저항을 달고 셋팅했는데, 이러면 정확한 조정이 되질 않는것 같다. 스피커 단자는 오픈하고 입력 RCA에는 short시켜야 제대로 셋팅이 되는것 같다.

bias는 출력 MOSFET의 이미터 저항 0.5옴+0.5옴의 양단 0.1V(100mV)을 제시하고 있다. 옴의 법칙으로 계산해보면  전류는 100mA가 흐르는 걸로 되어 있는데 기존 TR앰프류들은 약 50mA정도 였는데 이 MOSFET Amp는 100mA 정도 흘려 줘야 되는갑다. 시간날때 오실로로 비교해봐야 겠다. 다음에 더 흘려  A급에 구동 비슷하게 해봐야 겠다.

출력 단자 0V를 target으로 200옴 가변저항을 가변하여 1mV 정도로 좌/우 셋팅하였다.

bias 전류가 0.1A라 손대면 뜨뜻한 정도이라 온도 측정을 해봤다. MOSFET부의 온도는 40도 정도이다. 이정도 온도면 사용상에 큰 문제는 없을것이다. 하지만 내부 B649/D669 TR의 온도는 꽤 올라간다. 나름 방열판 하나를 끼워넣어줬는데도 손으로 만져보면 꽤나 뜨겁다. 없이도 구동했었는데 괜찮지 않을까...

 

Test중인 AMP

단순한 회로임에도 불구하고 안정되고 좋은 소리를 내주는것 같다. 한동안 이것 저것 여러 음악들을 들어 보았다. TR류 앰프 몇개 만들어 보았으나 직접 뜨게질을 해서 그런지 애착이 간다. 이제 중요 TR 부품들이 단종됨으로해서 이제는 접하기 어려운 amp가 되어 버린것일지도 모르겠다. 젊은 20대때 무식하게  만든 amp를 다시 재작업을 해보니 흘러버린 세월의 무상함?을 느낀다.

 

Mosfet을 구하기도 어렵고 다음에 만든다면 IRFP 9240과 IRFP 240을 이용해봐야 겠다.

 

고주파영역에 발진이 있는듯하여 10P에 200p를 덧대어 보상을 하였다.